三菱MitsubishiIGBT模块

IGBT模块
富士(Fuji)：
一、S系列、U系列、V系列PIM
1、集成整流桥的PIM模块，广泛应用于变频器、智能电梯等行业
2、电压等级600V/1200V可选

二、*四代S系列
1、广泛应用于电镀电源、整流器、高频电源、电焊机行业
2、较高开关频率达到20KHZ
3、性价比较高的IGBT模块

三、R系列、V系列IPM
1、集驱动、保护电路于一体的智能模块，有限减少客户的电路设计
2、6单元、7单元可选；电压等级600v/1200v

四、*六代H系列
1、富士新一代高频应用的IGBT模块
2、较佳开关频率20-50KHZ，与英飞凌KS4兼容
3、无铅环保封装

五、*五代U2系列
1、富士*五代IGBT模块
2、电压等级600v\650v
3、高性价比IGBT模块，广泛应用于UPS等行业

六、*三代P系列
1、采用GPT工艺制造，比PT （Punch-Through）IGBT有更多的优越性
2、适用于变频器、交流伺服电机系统、UPS、电焊机电源等领域。

七、*五代U4系列
1、低损耗：与标准U系列相比，导通切换的损耗降低百分子30以上。
2、易于并联
3、更低的电磁噪声

英飞凌(Infineon)：
一、Vces=1200V系列
1、电压等级VCE=1200V
2、全系包含1单元、半桥、H桥、三相桥、PIM模块

二、Vces=600V系列
1、电压等级VCE=600V
2、全系包含1单元、半桥、H桥、三相桥、PIM模块

三、Vces=6500V系列
1、电压等级VCE=6500V
2、全系包含1单元、斩波电路、二极管模块

四、Vces=3300V系列
1、电压等级VCE=3300V
2、全系包含1单元、半桥、斩波电路、二极管模块

五、Vces=1600V 1700V系列
1、电压等级VCE=1600V、1700V
2、全系包含1单元、半桥、三相桥、斩波电路

西门康（Semikron)
SemiTop 系列,MiniSKiip 系列,Skim 系列,Semix 系列,Semitrans系列

三菱（Mitsubishi)
一、*六代NX系列
1、采用*6代IGBT硅片技术，损耗低
2、二极管采用*6代LPT硅片技术，正向导通压降低
3、硅片结温可高达175°C
4、硅片运行温度较高可达150°C
5、内部集成NTC测温电阻
6、全系列共享同一封装平台

二、V1系列IPM
1、替代*3代DSA系列，V系列和HSA系列IPM
2、采用全栅型CSTBTTM硅片具有低损耗
600V: Vce(sat)(@Tj=125?C)=2.55V ---> 1.75V
1200V: Vce(sat)(@Tj=125?C)=2.6V ---> 1.85V
3、优化片上温度传感器 ；新的结线技术显着改善功率循环
4、兼容现有V系列小封装 
5、SXR端子提供稳压电源供外部光耦使用（可选）
6、V1系列IPM使得变频器的功率损耗与传统产品相比，降低约20

三、NEW PV-IPM PV-DIP/IPM
1、三菱电机*5代智能功率模块——New PV-IPM
2、太阳能发电系统**智能功率模块 
3、采用全栅型CSTBTTM硅片技术和快速续流二极管更适合高频应用
4、硅片上集成优化的温度传感器
5、与L1系列S型IPM模块封装兼容，比现有产品(B型)小32%
6、具有短路、欠压和过温保护功能

四、*4代&*5代DIP、IPM
1、应用范围：变频家电(伺服驱动、空调、洗衣机、冰箱等)
2、内置驱动电路、欠压保护和短路保护电路
3、高电平导通逻辑，可以直接与3V或5V单片机相连接

五、*五代智能功率模块（L1系列）
1、采用全栅型 CSTBTTM硅片实现低损耗
2、IGBT硅片正*处集成温度传感器，过温保护更精确(145℃)
3、新的结线技术使功率循环能力得到显着提高
4、主端子有针脚型和螺丝型两种形式
5、与*5代L系列IPM兼容
6、完全无铅焊接(对应RoHS指令)

六、*五代NF系列
1、采用低损耗CSTBTTM硅片技术
2、LPT结构用于1200V模块，更加适合于并联使用
3、额定电流定义比市场上同类产品高一个等级
4、外形尺寸与H系列IGBT完全兼容
5、内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小
6、通过调整底板和基板间焊锡的厚度大大改善了温度循环能力ΔTc

七、*五代A系列
1、采用CSTBTTM硅片技术
2、饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
3、比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流
时ΔT(j-f)低15%
4、模块内部寄生电感小
5、功率循环能力显着改善